電動汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速、需求逐年提高，帶動了充電樁、電驅(qū)動系統(tǒng)的技術(shù)進步。作為充電樁、電驅(qū)動系統(tǒng)核心部件，半導(dǎo)體功率器件由硅基IGBT向SiC MOSFET發(fā)展進步，具有可以在更高頻下工作、損耗更低、效率更高的優(yōu)勢。

由于工藝、良率、封裝、成本等因素，單芯片的SiC MOSFET通流能力較低。通常采用多個分立器件或功率模塊中的多片裸片并聯(lián)來達到更高的額定電流。SiC MOSFET并聯(lián)使用時，并聯(lián)單元之間的電流不均衡成為主要問題。同時，傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)已經(jīng)逐漸無法滿足大功率和高集成度的功率器件的熱性能需求。本項目將從器件參數(shù)篩選和PCB布局優(yōu)化方面出發(fā)去抑制并聯(lián)電路電流不平衡問題，并設(shè)計合適的封裝結(jié)構(gòu)，最終制作出樣機。

1.研究單管參數(shù)分散性對于并聯(lián)均流性能的影響。對于企業(yè)提供的單管，測量其單管參數(shù)，選取出參數(shù)最接近的四組單管用于樣機。

2.優(yōu)化PCB板布局。通過軟件仿真提取PCB板的寄生回路參數(shù)，并依據(jù)提取的參數(shù)確定最終的優(yōu)化設(shè)計結(jié)果，用于樣機。

3.設(shè)計封裝結(jié)構(gòu)。計算結(jié)溫、選取合適的熱模型進行熱仿真測試散熱性能，在滿足產(chǎn)品散熱情況后將封裝設(shè)計運用于樣機。

1.圍繞器件參數(shù)建立篩選指標(biāo)，從企業(yè)提供的40個單管中篩選出參數(shù)最近似的4個單管

2.設(shè)置分離槽結(jié)構(gòu)解耦PCB布局的耦合電感，并仿真驗證均流提升效果

3.設(shè)計直接標(biāo)貼的封裝結(jié)構(gòu)，通過肋片進行散熱，并仿真驗證散熱性能

4.制作樣機，進行熱電參數(shù)測試實驗，對功率模塊樣機的均流性能進行驗證